EasyPSim软件

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易算仿真EasyPSim软件

等离子体、高超声速流体、电磁场


      自主研发了易算仿真软件EasyPSim,包含PIC2D、PIC3D、FDTD3D、Flow2D、Flow3D等模块。

      EasyPSim-PIC2D/3D模块核心算法是二维/三维非结构化网格PIC-MCC(粒子云-蒙特卡洛碰撞)算法。可以用于电子枪、离子源、辉光放电、火花放电、CCP放电、DBD放电、潘宁放电、磁控溅射、电推进、航天器表面充电、含等离子体库仑力等模型的计算。支持用户定制开发和新功能扩展。

      EasyPSim-FDTD3D模块核心算法是三维结构化网格FDTD(时域有限差分)算法。求解电磁场麦克斯韦方程组,可以给出电磁场随时间和空间分布,以及计算目标物体RCS(雷达散射截面),能够采用辅助方程方法计算目标物体在含等离子体环境下的RCS。支持用户定制开发和新功能扩展。

      EasyPSim-Flow2D/3D模块核心算法是二维/三维非结构化网格FVM(有限体积)算法,求解可压缩纳维-斯托克斯方程(N-S方程),包含热化学非平衡模型,能够计算高超声速条件下的流场分布以及等离子体鞘套分布。支持用户定制开发和新功能扩展。

 

1. 前后处理器

      支持软件内部建模和支持导入CAD模型,支持内部生成网格和导入网格文件。内置多个数据库,包含实体材料属性、粒子组分数据、碰撞截面数据,支持用户自定义添加新的材料和反应方程。后处理部分可以显示结果的曲线图、云图、矢量图、动画。

前后处理-图1-1.png

图1. 图形化界面显示实体和进行属性设置

前后处理-图2.png

图2. 化学反应数据库图形化界面

前后处理-图3-1.png

图3. 后处理界面

2. 求解器

1)  PIC2D、PIC3D模块采用PIC-MCC(粒子云-蒙特卡洛碰撞)算法,能够仿真带电粒子和电磁场相互作用,以及带电粒子之间和带电粒子与中性气体之间的多种碰撞反应,帮助科学工作者和工程师掌握非线性复杂等离子体物理过程中的物理图像以及背后的物理机制。

模块特征包括:

采用有限元方法求解电磁场;

在非结构化网格内追踪大量粒子运动;

采用蒙特卡洛方法处理各种碰撞反应,包括电离碰撞、弹性碰撞、激发碰撞、电荷交换碰撞、复合碰撞等;

采用MPI区域并行算法,形成大规模跨节点并行计算能力;

能够处理多种电场电势边界条件,悬浮电势边界、随时间变化的电压设定等;

能够处理多种等离子体与材料相互作用过程,包括反射、二次电子发射、溅射等。

2)  FDTD3D模块采用三维结构化网格FDTD(时域有限差分)算法,求解电磁场麦克斯韦方程组,可以给出电磁场随时间和空间分布,以及计算目标物体RCS(雷达散射截面),能够采用辅助方程方法计算目标物体在含等离子体环境下的RCS。

模块特征包括:

    支持stl、step等常用几何模型文件的导入;

    支持PML(完美匹配层)吸收边界、PEC(理想电导体)反射边界;

    支持近场-远场转换,可以计算单站、双站RCS;

    支持MPI并行计算。

3)  Flow2D、Flow3D模块采用二维/三维非结构化网格FVM(有限体积)算法,求解可压缩纳维-斯托克斯方程(N-S方程),包含热化学非平衡模型,能够计算高超声速条件下的流场分布以及等离子体鞘套分布。

模块特征包括:

      非结构化网格,适应复杂几何形状;

      支持四面体、六面体、金字塔、三棱柱等多种网格单元类型的混合网格;

      支持AIR-7等多种气体模型;

      支持远场边界、无滑移边界、绝热边界、等温边界等多种常用边界条件;

      支持MPI并行计算。


3. PIC2D/3D案例

3.1 电子枪

本算例演示了带电粒子在电场中的加速过程,以及自动区域划分并行求解。下图是4并行计算所采用的网格以及网格分区、电势分布和电子位置及速度分布,从图中可以看到粒子被加速的过程,以及粒子束先汇聚再发散的现象。

电子枪-图4.png

(a)非结构化网格分区 

              电子枪-图6.png

(b) 电势分布和电子速度分布

图4. 电子枪案例结果  

3.2 离子引出

仿真区域尺寸为11mm×2.5mm×2.5mm,三个电极的电压分别设置为1000V、-300V、0V,其他边界为neumann边界。

3.2电势.png

(a)电势分布

3.2离子.png

(b)离子密度分布

三电极引出-速度分布.png

(c)速度分布

图5. 三电极离子引出案例结果


3.3 低气压辉光放电

下电极电压设置为0.0 V,针电极电压设置为-1500.0 V,x y方向为对称边界。背景氩气密度为2.5e21/m^3。下图给出了针电极附近的网格,可以看出四面体网格能够很好的近似曲面结构。下图给出了仿真达到稳态时的电子密度和电势分布图。

     辉光-图6.png      

(a)非结构化网格 

辉光-图7.png       

(b)  电子密度分布、电势分布

图6. 辉光放电案例结果 

3.4 CCP放电(容性耦合放电)

放电腔室结构下图,下表面中间放置靶板电极。背景氩气密度为2e21/m^3。靶板电极施加13.56 MHz、100V射频电压。

CCP-图8.png

(a)放电腔室结构 

CCP-图9-1.png

(b) 电子密度分布

CCP-图9-2.png

(c) 电位分布

图7. CCP放电案例结果 

3.5 磁控溅射放电

背景氩气密度为1e20/m^3,靶板电极电压设置为-280.0 V的直流电压。从密度分布图可以看出,电子和离子均被磁场约束,密度空间分布明显受磁场影响,进而导致靶板电极表面的离子粒子流也受磁场影响,呈现空间分布不均匀现象。电势分布结果显示电势主要降在了阴极靶板附近,有利于加速离子,增大溅射产额。用户可以根据仿真结果,对设备结构和参数进行优化,增加磁控溅射设备的溅射速率和均匀性。

磁控溅射-图10.png

(a)放电腔室网格剖面图 

磁控溅射-图11.png

(b) 磁场分布图 

磁控溅射-图12-1.png

(c) 电子密度分布(剖面图)

磁控溅射-图12-2.png

(d)离子密度分布(剖面图)

磁控溅射-图13.png

(e) Ar+离子粒子流分布 (剖面图)

图8.  磁控溅射放电结果 

3.6 电荷沉积/充电

本案例计算金属球在等离子体环境中的充电即电荷沉积效应。

电荷沉积-15.png

图9. 电荷沉积仿真结果 

3.7 卫星表面充电效应仿真

本案例计算数十米区域的卫星表面充电效应计算。

卫星表面充电-网格.png卫星表面充电-电子密度.png卫星表面充电-离子密度.png

(a)网格、电子密度、离子密度结果 

卫星表面充电-电位.png卫星表面充电-曲线.png

(b) 电位分布、监控点电位变化曲线

卫星表面充电-双星模型.png

(c)双星模型电子密度分布 

图10.  卫星表面充电案例结果 

3.8 大气压火花放电仿真

EasyPSim-PIC2D直角坐标系,模拟区域5.0 mm×10.0 mm,单针阴极在上,电压设置为-5000V;双针阳极在下,电压设置为5000V。背景气压为1Atm,考虑氮气和氧气,粒子数密度比例设为4:1。

大气压火花放电1.png大气压火花放电2.png

图11. 初始电位、电子密度演化结果

3.9 霍尔推进器放电仿真

EasyPSim-PIC2D圆柱坐标系,采用缩比技术将模拟区域缩小50倍,保持效率不变。背景气体为氙气Xe。

霍尔推力器01.png霍尔推力器02.png霍尔推力器03.png

图12. 模型、电子密度、氙离子密度结果

3.10 大气压表面介质阻挡放电(SDBD)

  贴在介质上下两个表面的电极上外加高压就会在大气中激励出等离子体。阴极嵌入在阻挡介质下表面内部,而阳极暴露在介质的上表面,仿真的区域为2mm×1mm,其中阻挡介质的厚度为0.1mm,阳极尺寸为0.2mm×0.02mm,阴极尺寸为1.6mm×0.04mm。仿真总时间取为10ns,1 Atm空气,组分只考虑N2 : O2 = 4 : 1,在极板间加载的激励电压为高斯形上升沿和下降沿,峰值7kV的梯形脉冲。仿真中考虑了电子和背景气体分子间的弹性碰撞和电离碰撞。

SDBD-结构.png

(a)模型

SDBD-电子密度.png

(b)电子密度

SDBD-电位.png

c)电位

图13.  SDBD案例结果


4. FDTD3D案例

4.1 金属球无等离子体0.15 GHz双站RCS仿真

金属球无等离子体双站RCS-电场幅值.png金属球无等离子体双站RCS-双站RCS.png

图14.   E 幅值和双站RCS结果

4.2 金属球含等离子体0.15 GHz双站RCS仿真

金属球含等离子体双站RCS-电场幅值.png金属球含等离子体双站RCS-双站RCS.png

图15.    E 幅值 双站RCS

4.3 Ram C飞行器无等离子体1.5 GHz单站RCS仿真

RamC无等离子体电场幅值.pngRamC无等离子体-单站RCS.png

图16.   E 幅值和单站RCS结果


4.4 Ram C飞行器含等离子体1.5 GHz单站RCS仿真

    Ram C(钝头飞行器)的材料为金属,长度为1.3m,边界条件为理想导体边界(PEC),入射波为单频平面波,频率为1.5GHz,Ram C附近有高超声流场形成的等离子体鞘套(攻角是15°)。

RamC含等离子体-电子密度.pngRamC含等离子体-电场幅值.png

电子密度                                                                           E 幅值

RamC含等离子体-单站RCS.png

单站RCS

图17.   计算结果


5. Flow2D/3D案例

5.1 Ram C飞行器二维高超声速流场仿真

马赫数:20,压强:21.96 Pa,温度:246.42 K,飞行高度:60Km。

  Ramc二维01-网格.pngRamc二维02-马赫.pngRamc二维03-压强.png

网格                                            马赫数                                                       压强

Ramc二维04-温度.pngRamc二维05-电子密度.pngRamc二维06-NO+离子密度.png

温度                                              电子密度                                                     离子密度

5.2 Ram C飞行器三维高超声速流场仿真

马赫数:20,压强:21.96 Pa,温度:246.42 K,飞行高度:60Km。

Ramc三维01-网格.pngRamc三维02-马赫.pngRamc三维03-压强.png

网格                                                        马赫数                                                       压强

Ramc三维04-温度.pngRamc三维05-电子密度.pngRamc三维06-NO+离子密度.png

温度                                               电子密度                                                      离子密度

5.3 尖锥飞行器二维高超声速流场仿真

马赫数:12,压强:1180 Pa,温度:231 K,飞行高度:30Km。

尖锥飞行器01-网格.png尖锥飞行器02-马赫数.png

网格                                                                 马赫数

尖锥飞行器03-压强.png尖锥飞行器04-温度.png

  压强                                                                      温度

尖锥飞行器05-电子密度.png尖锥飞行器06-离子密度.png

电子密度                                                    离子密度


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